بررسی ویژگیهای ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیتهای دورگهی Al2O3/PVP (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)
Authors
Abstract:
Al2O3/PVP nano-hybrid composite samples are synthesized using sol-gel method at 75°C. Weight percent of poly 4-vinyl phenol and aluminum oxide is 0.0, 0.28, 0.56, and 0.84. To study the nano-structural and electrical characteristics, X-ray diffraction, Fourier transfer infrared radiation, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy are used. Dielectric constant of the samples is measured using “GPS 132 A” multi-meter. The results show that the highest amounts of dielectric constant at the frequency of 120 and 1 kHz are related to Al2O3 + 0.28 %wt. PVP(k=35) and Al2O3 + 0.56 %wt. PVP (k=26) nano-composite samples, respectively. Therefore, at the frequency of 120kHz, Al2O3 + 0.28 %wt. PVP nano-composite sample, due to having higher equivalent oxide thickness, less roughness, ohmicproperties, smaller size of nano-crystallites (Scherrer diameter of 45nm), higher dielectric constant, and as a result of less leakage current, is recommended as the gate dielectric for the future of organic field effect transistors.
similar resources
بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی al۲o۳/pvp (به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)
نمونههای پودری نانوکامپوزیت دورگهای al2o3/pvp به روش سل-ژل در دمای 80 درجهی سانتیگراد سنتز شدهاند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگیهای نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بینابسنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونهها با استفاده از روش gps 132 a مح...
full textو مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...
full textبررسی ساختاری و ریزساختاری نانو ذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم – مس تولید شده به روش مکانوشیمیایی
در این پژوهش، نانوذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم- مس (CCTO) به روش مکانو شیمیایی تولید شده است. ترکیب شیمیایی پودر آسیا شده با استفاده از تجزیهی فلورسانس اشعهی X (XRF) و تجزیهی ساختاری کمی وکیفی فازها با پراش اشعهی X (XRD) و با کاربرد روش رتویلد صورت گرفت. افزون بر این، بررسی اندازهی ذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) انجام گرفت. نتایج تجزیهی XRF نشان داد که میزان آلودگی وار...
full textبررسی تئوری و عددی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی
چکیده ندارد.
15 صفحه اولبررسی خواص اکسیدهای عناصر کمیاب خاکی به عنوان گیت دی الکتریک
نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورکهای به دست آمده با تکنیکهای پراش پرتو ایکس (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازهگیری ثابت دی...
full textMy Resources
Journal title
volume 24 issue 4
pages 789- 798
publication date 2017-01
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023